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江风益29年钻研硅衬底LED:闯出半导体照明的中国道路

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　　新华社南昌1月8日电题：让“中国芯”照亮世界——记国家技术发明奖一等奖硅衬底蓝光LED技术攻关路

　　新华社记者刘菁 沈洋

 

江风益（前中）在和团队成员探讨技术课题（2015年12月29日摄）。新华社记者 周密 摄江风益（前中）在和团队成员探讨技术课题（2015年12月29日摄）。新华社记者 周密 摄

　　巴掌大的蓝色圆形硅片上，一层层“生长”着多种半导体材料，两千个毫米见方的芯片整齐分布其中。由电变光，芯片发出神秘的幽蓝光，投射到荧光粉上，顿时柔和的白光洒射开来。

 

　　正是这小小的硅衬底蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家、唯一实现硅衬底LED芯片量产的国家。

　　“中国芯”，令国人骄傲、世界震动。2015年度国家技术发明奖一等奖，花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”。获奖的背后，是一颗颗跃动的中国心，是一簇簇永不停歇的自主创新，是一个持续19年的蓝光梦。

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